JCSYS50A - SYS50BYAG Лазер для резки полупроводниковых пластин

Основные характеристики и технические параметры:
Длина волны лазера: 1.064 μm. Точность скрайбирования: ≤±10 μm.
Максимальная толщина скрайбирования: 1.2 мм.
Ширина скрайбирования: ≤50 μm.
Частота повторения лазерных импульсов: 200～50 кГц.
Максимальная скорость скрайбирования: 120 мм/с.
Максимальная мощность лазера: ≥50 Вт.
Размер рабочего полотна: 350×350 мм.
Источник электроэнергии:380В（220В）/ 50Гц/ 5KVA.